TP65H050WS / TP65H035WS Үчүнчү муун (Башт III) Схемада Nitride (Ган) Талаа-Effect Transistors (FETs)

Transphorm анын Ган FETs тынчыраак электромагниттик тоскоолдуктарды (EMI) кыскартуу жана ызы-чуу кол тийбестик жогорулатуу аркылуу өтүү өзгөчөлүгүн

Transphorm анын TP65H050WS жана TP65H035WS Башт III 650 V Ган FETs болуп саналат. Алар райондук колдонмолордо Emi, өсүп дарбазасы чуу колтийгистик укугуна ээ жана көп насыятик төмөн бергиле. 50 mΩ TP65H050WS жана 35 mΩ TP65H035WS стандарттык TO-247 пакеттерди да бар.

терс дарбаза пассионардык зарылдыгын жокко А MOSFET жана дизайн өзгөртүүлөр Башт III түзмөктөрдү 2.1 V 4 V үчүн жогорулаган чеги VOLTAGE (ызы-чуу иммунитет) жеткирүүгө мүмкүнчүлүк (Башт II). дарбаза ± 20 V дегенде 11% чейин Башт II чейин ишенимдүүлүк. тынчыраак которулуу жана сахнада Бул жыйынтыктар жөнөкөй тышкы схемотехникасын менен жогорку учурдагы денгээлде ишмердигин жакшыртууга куткарат.

Seasonic Электроника Компаниянын 1600T 99% электр себеби туура келтирүү үчүн 1600 W, жогорку чыңалуу бул колдонот bridgeless тотем-түркүк платформа Ган FETs болот (МСК) батарейка заряддоо натыйжалуулугу (электрондук-дүйнөсү, өнөр жай, жана башка), PC бийлик, Servers жана оюн рыноктору. кремний-негизделген платформа 1600T менен FETs колдонуунун пайда 2% га натыйжалуулугун кёбёйгён жана 20% га электр тыгыздыгы өскөн кирет.

1600T платформа Transphorm анын TP65H035WS жана жазыраак жумшак алмашып райондо жана натыйжалуулугун жогорулатууга жетишүүгө жана электр системасы өнүмдөрдү иштеп чыгууда колдонуучулар мүмкүнчүлүктөрдү камсыз кылуу үчүн колдонот. TP65H035WS түгөй дарбаза адатта-колдонулган айдоочулар менен долбоорлорду жөнөкөйлөтүү.